| German |
| has gloss | deu: Plasmaätzen ist ein materialabtragendes, plasmaunterstütztes, gaschemisches Trockenätz-Verfahren, das besonders in der Halbleitertechnik, Mikrostrukturtechnologie und in der Displaytechnik großtechnisch eingesetzt wird. |
| lexicalization | deu: Plasma-Ätzen |
| lexicalization | deu: Plasmaätzen |
| Finnish |
| has gloss | fin: ICP-RIE-reaktori rakentuu kahdesta tehonlähteestä (ICP+CCP), joilla säädetään reaktorissa olevan plasman ominaisuuksia sekä ionipommituksen voimakkuutta. Prosessikammio pidetään koko ajan tyhjiössä ja kiekot laitetaan sisään latausluukun (load lock) kautta. Prosessikaasut syötetään reaktiokammioon sen katosta ja reaktiotuotteet poistetaan alakautta. |
| lexicalization | fin: ICP-RIE |
| French |
| has gloss | fra: La gravure ionique réactive - ou gravure par ions réactifs - très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive-Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi-conducteurs. Il sagit dune technique similaire, dans la mise en œuvre, à une gravure au plasma de type pulvérisation cathodique (sputtering). Cependant, dans cette technique, le plasma réagit, non seulement physiquement, mais aussi chimiquement avec la surface d'un wafer, ce qui en retire une partie ou certaines des substances qui y ont été déposées. Le plasma est généré sous basse pression (10-2 à 10-1 torr) par un ou plusieurs champs électriques voire magnétique. Les ions de haute énergie du plasma attaquent la surface du wafer et réagissent avec. |
| lexicalization | fra: Gravure ionique reactive |
| lexicalization | fra: gravure ionique réactive |
| Japanese |
| has gloss | jpn: 反応性イオンエッチング (Reactive Ion Etching; RIE) はドライエッチングに分類される微細加工技術の一つである。 |
| lexicalization | jpn: 反応性イオンエッチング |
