Information | |
---|---|
has gloss | eng: The term high-κ dielectric refers to a material with a high dielectric constant (κ) (as compared to silicon dioxide) used in semiconductor manufacturing processes which replaces the silicon dioxide gate dielectric. The implementation of high-κ gate dielectrics is one of several strategies developed to allow further miniaturization of microelectronic components, colloquially referred to as extending Moore's Law. |
lexicalization | eng: High-k Dielectric |
instance of | (noun) a conductor made with semiconducting material semiconductor, semiconductor unit, semiconductor device |
Meaning | |
---|---|
German | |
has gloss | deu: Als High-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl aufweist als herkömmliches Siliziumdioxid (εr = 3,9) oder Oxinitride (εr < 6). |
lexicalization | deu: High-k-Dielektrikum |
Finnish | |
has gloss | fin: High-k-eriste on korkean (κ)-arvon omaava ohutkalvoeriste puolijohdekalvorakenteessa. k-arvolla tarkoitetaan dielektristä vakiota, joka on materiaalin suhteellinen permittiivisyys eli materiaalin permittiivisyyden suhde tyhjiön vastaavaan arvoon. Tyhjiön k-arvo on yksi. Puolijohdeteollisuuden kielenkäytössä high-k tarkoittaa korkeaa dielektristä vakiota verrattuna SiO2:iin, jota nykyään käytetään transistorien eristeenä CMOS-kalvorakenteessa. Pakkaustiheyden kasvaessa mikropiireillä alkaa vuotovirrasta tulla ongelma, minkä vuoksi piidioksidikalvo pitää korvata transistorirakenteessa paremmalla eristeellä. Uudessa 45 nanometrin prosessorisukupolvessa Intel on päättänyt ottaa käyttöön hafniumyhdisteen tällaiseksi high-k-kalvoksi. Ilmeisesti kyseessä on HfO2. |
lexicalization | fin: High-k eriste |
lexicalization | fin: High-k-eriste |
Media | |
---|---|
media:img | Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg |
media:img | FET cross section.png |
media:img | High-k.svg |
Lexvo © 2008-2024 Gerard de Melo. Contact Legal Information / Imprint