| Arabic |
| has gloss | ara: شبه الموصل الخارجي هو شبه موصل تحول من كونه شبه موصل داخلي إلى خارجي بعد إجراء عمليةتشويب تغير من خصائصه الإلكترونية عن طريق إخلاف تراكيز الإلكترونات والفجوات لشبه الموصل عند درجة التوازن الحراري وتنقسم شبه الموصلات الخارجية إلى نوعين حسب مادة التشويب : * شبه موصل سالب * شبه موصل موجب |
| lexicalization | ara: شبه موصل دخيل |
| Persian |
| has gloss | fas: نیمه‌رسانای غیرذاتی به نیمه‌رساناهایی گفته می‌شود که ناخالصی‌هایی در ساختار آنها وارد شده و انرژی نوارهای انرژی آن را تغییر داده باشد. |
| lexicalization | fas: نیمه‌رسانای غیرذاتی |
| Japanese |
| has gloss | jpn: 不純物半導体（ふじゅんぶつはんどうたい）は半導体の一種。外因性半導体(がいいんせいはんどうたい、extrinsic semiconductor)とも言う。純粋な真性半導体に不純物（ドーパント）を微量添加（ドーピング）したものである。ドーピングする元素により、キャリアがホール（正孔）のP型半導体、キャリアが電子のN型半導体が得られる。キャリアの種類は不純物元素の最外殻電子の数に依存する場合が多く、最外殻電子が4より大きい時はN型半導体、最外殻電子が4より小さい場合はP型半導体になることが多い。 半導体の一種であるケイ素を例に取ると、ヒ素、リンの場合がN型半導体、ホウ素の場合がP型半導体になる。 |
| lexicalization | jpn: 不純物半導体 |
| Korean |
| has gloss | kor: 불순물반도체는 반도체의 한 종류이다. 외인성 반도체 라고도 한다. 순수한 진성반도체에 불순물 (도펀트)를 소량첨가 (도핑)한 것이다. 도핑하는 원소에 의하여 캐리어가 홀인 P형 반도체, 캐리어가 전자인 N형 반도체를 얻을 수 있다. 캐리어의 종류는 불순물 원소의 최외각전자수에 의존적이며, 최외각전자가 4보다 클 경우는 N형 반도체, 최외각전자가 4보다 작을 경우는 P형 반도체가 된다. 반도체의 한종류인 규소를 예로 들면, 비소, 인의 경우에는 N형 반도체, 붕소의 경우에는 P형 반도체가 된다. |
| lexicalization | kor: 불순물 반도체 |
| lexicalization | kor: 불순물반도체 |
